在芯片制造过程中，等离子体刻蚀、化学气相沉积（CVD）等关键工艺环节都需要高精度的射频匹配器来确保等离子体的稳定产生和精确控制。随着芯片制程不断缩小，对射频匹配器的匹配精度、响应速度和功率承载能力等性能指标提出了更为严苛的要求。
应用场景
等离子体刻蚀
射频匹配器确保等离子体密度稳定，实现纳米级精度刻蚀，满足先进制程工艺要求。
化学气相沉积
精确控制沉积速率和薄膜均匀性，保证多层芯片结构的高质量构建。
技术优势
匹配精度达0.1%，确保等离子体稳定性
响应时间小于10微秒，适应快速工艺变化
支持13.56MHz至60MHz宽频段操作
高功率处理能力，可达3000W连续波输出
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